| 講師紹介 |
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 黄 昌圭 サムスン電子 半導体総括社長 |
半導体業界の第一人者
米スタンフォード大の責任研究員から1989年にサムスン電子に転じ、同社の半導体事業を世界２位に育て上げた。
2002年、業界の長年の常識だった「ムーアの法則」を超える新成長論を提唱した。「半導体メモリーの集積度は１年で倍増する」――。これが「黄（ファン）の法則」と呼ばれる新成長論。米インテル創業者のゴードン・ムーア氏が65年に提唱した「半導体の集積度は１年半で倍増する」という法則を半年縮めた。半導体の用途が広がり、必要な記憶容量は飛躍的に拡大するいま、サムスンの開発は黄の法則通り進む。
36歳のとき、サムスン電子にスカウトされた。用意された役員ポストを固辞し、部長として開発の最前線に立った。94年、世界初の256ﾒｶﾞﾋﾞｯﾄＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）を開発するなど、メモリー事業をけん引した。
社内では「半導体遊牧民」論を強調する。「一時も安住せず、絶えず新領域を開拓しないと生きていけない」。ソウル大大学院を卒業後、米マサチューセッツ州立大学で博士号を取得。52歳。
[9月5日/日本経済新聞 朝刊]
| ●生年月日 |
| 1953年１月23日生まれ |
| ●学歴 |
| 1976年 | ソウル大学 電気工学科 卒業 |
| 1978年 | ソウル大学院 電気工学科 卒業 |
| 1985年 | マサチューセッツ州立大学院 電気及びコンピューター工学科 博士 |
| ●経歴 |
| 1985～1989年 | 米国 スタンフォード大学 集積回路研究所 責任研究員 |
| 1988～1989年 | 米国 インテル社 諮問 |
| 1989年 | サムスン電子 入社 |
| 1993年 | 世界VLSI学会 審査委員 |
| 1994～1996年 | 世界IEDM学会 メモリー分科 審査委員 |
| 1997年 | ICVC国際学会 学術委員長 |
| 1998年～現在 | VLSI学会 Executive 審査委員 |
| 2001年 | サムスン電子 メモリー事業部長 社長 |
| 2002年 | IEEE Fellow当選 |
| 2004年 | サムスン電子 半導体総括 社長
韓国半導体産業協会 会長 |
| ●受賞 |
| 2003年 | 「The 25 Stars of Asia」, BusinessWeek |
| 2004年 | 韓国金塔産業勲章、特許庁＆韓国発明振興会 |
| 2005年 | Leadership in Technology and Innovations Award, アメリカ電子産業協会(EIA) |
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